在芯片工艺的演进过程中，金属材料发挥了至关重要的作用。随着先进制程的尺寸不断缩小，贵金属及其合金材料在小线宽、低电阻率、高黏附性等方面扮演着关键角色。从早期的铝到铜，再到如今的钴和钌等，金属材料的不断革新推动着芯片工艺的发展。
芯片工艺的发展离不开各种金属材料的支持，这些材料在互联层、金属栅极、阻挡黏附层以及后端封装等方面都有广泛应用。随着技术的不断进步，新的金属材料如钴、钌等的引入，为芯片制造带来了新的可能性。这些新材料在提高电子迁移率、降低电阻、提高黏附性等方面具有显著优势，为先进工艺芯片的性能提升和成本降低带来了希望。
在芯片城市般的比喻中，晶体管是核心区域，负责信息的运算，而互连层则相当于城市的道路，负责信息与外界的交通。随着摩尔定律的延续，核心区的晶体管越来越小，密度越来越大，道路的运输能力即互连层的RC延迟成为整个芯片速度提升和功耗降低的瓶颈。互连层的金属材料需要升级换代，为晶体管核心区的“道路”提速。
从铜到大马士革工艺，再到钴的引入，金属材料的发展历程充满了创新与挑战。工程师们不断寻找能够替代铝的金属，以应对后端互联技术的难题。铜的导电性能好，容易沉积，成为替代铝的理想选择。随着线宽的缩小，钴的引入带来了更大的电子迁移率改善和通路电阻降低。
除此之外，新型的互联材料如钴合金、钌和铑等的研发也在不断推进。这些新材料有望在不久的将来闪亮登场，为先进工艺芯片搭建桥梁。新材料的应用也面临着量子效应增强等挑战，但新金属材料的引入和工艺的创新将有助于突破这些挑战，推动芯片工艺的进一步发展。
贵金属材料在芯片领域的应用主要有四个方面：互联材料、金属栅极材料、金属阻挡层黏附层材料和后端封装用金属材料。这些材料在芯片制造中发挥着重要作用，对于保证芯片的性能和稳定性至关重要。
尽管贵金属在芯片制造中的应用比重较小，但其价格波动仍会对芯片制造的成本产生一定影响。由于贵金属的不可替代性和在芯片制造中的重要作用，其价格波动对芯片产业的影响相对较小。随着技术的不断进步和新材料的研发，贵金属在芯片制造中的应用也将不断减少。尽管当前国际局势的对贵金属市场造成了一定冲击，但对芯片产业的影响有限。金属材料的持续创新和发展是推动芯片工艺进步的重要因素之一。
