内光电效应是指半导体材料在受到光照时，其电学性质发生改变的现象。根据这一效应，内光电效应主要分为光电导效应和光生伏特效应两种类型。
光电导效应是指半导体材料在光照下电阻减小，导电性能增强的现象。这是因为光照导致半导体中产生大量的电子-空穴对，这些载流子的增加使得材料的导电能力提升。光电导效应广泛应用于光敏电阻、光电二极管等器件中，这些器件能够将光信号转换为电信号，用于各种光探测和测量应用。
光生伏特效应是指半导体材料在光照下产生电动势的现象。这种现象通常发生在PN结或类似结构中，当光照导致PN结两侧产生光生载流子时，这些载流子在结电场的作用下分离，形成光生电压。光生伏特效应是太阳能电池的工作原理，太阳能电池能够将太阳光能直接转换为电能，具有广阔的应用前景。
这两种效应都是基于半导体材料对光的响应，但它们的工作机制和应用场景有所不同。光电导效应主要利用材料的电阻变化来探测光信号，而光生伏特效应则利用产生的电动势来转换光能为电能。在实际应用中，根据具体需求选择合适的光电效应类型和器件至关重要。