IGBT（绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是常见的电力电子器件，但它们在结构和功能上存在一些关键区别。首先，IGBT结合了MOSFET和BJT（双极结型晶体管）的优点，具有较低的导通压降和较高的电流密度，适用于大功率应用。而MOSFET则是一种电压控制器件，具有快速的开关速度和较低的导通电阻，适用于高频和小功率应用。
其次，在结构上，IGBT有一个N沟道MOSFET和一个PNP BJT组成，而MOSFET则只有一个金属氧化物半导体结构。这种结构差异导致了它们在电气性能上的不同。IGBT的导通电阻较低，适合用于大电流、低电压的应用，如电机驱动和电力转换。而MOSFET的开关速度更快，适合用于高频开关应用，如开关电源和逆变器。
此外，IGBT的驱动电路相对复杂，需要较高的驱动电流来触发，而MOSFET的驱动电路则相对简单，只需要较低的电压即可驱动。这也使得MOSFET在驱动电路设计上更为方便。
总的来说，IGBT和MOSFET在性能、结构和应用上都有所不同。IGBT适用于大功率、低电压的应用，而MOSFET则适用于高频、小功率的应用。在选择合适的器件时，需要根据具体的应用需求来决定。