三星在经历了Galaxy S5市场表现不佳和业绩显著下滑的艰难时刻后，急欲在Galaxy S6上重塑辉煌。显然，三星对Galaxy S6寄予厚望，其在性能方面的表现堪称出色。据最新消息，3月6日，三星的Exynos 7420处理器在性能测试中大幅度超越了竞争对手，充分展现了三星强大的技术实力。
而在存储性能测试方面，三星Galaxy S6和S6 Edge的表现更是惊艳四座。这两款手机在AndroBench的随机读取测试中取得了惊人的77.2分，与其他手机相比，这一成绩遥遥领先。在顺序写入和顺序读取测试中，Galaxy S6/S6 Edge同样以高分领跑，显示出其强大的存储性能。
Galaxy S6/S6 Edge在存储测试中的卓越表现，源于其采用了最新的UFS 2.0存储技术。这种技术被认为是当今高端移动设备内存存储的最佳解决方案。它采用命令队列技术，通过串行接口加速命令执行速度，使得数据处理速度得到显著提高。
值得一提的是，三星此次推出的存储读取速度达到了惊人的19000 IOPS，这一速度比高端智能手机常用的eMMC 5.0嵌入式内存高出2.7倍，比普通高速内存卡更是快了12倍。这一突破性的处理速度将极大地提升系统性能。不仅如此，新产品的连续读写性能已经提升到SSD级别，同时功耗降低了50%，表现出非常出色的效率和性能。
可以说，三星Galaxy S6/S6 Edge的出色表现不仅展现了三星的技术实力，也必将为用户带来更加流畅、高效的手机使用体验。
