电压和温度之间的关系是复杂且多变的，它们之间相互影响，具体表现为以下几个方面：
首先，温度对电压的影响主要体现在半导体器件中。在半导体材料中，温度的升高会增加载流子的浓度，从而影响器件的电压特性。例如，在晶体管中，温度升高会导致基极-发射极电压（Vbe）降低，这是因为温度升高会增加少数载流子的注入效率，从而降低Vbe。这种温度依赖性在实际电路设计中需要被考虑，以确保电路在不同温度下的稳定性。
其次，电压对温度的影响主要体现在热电效应上。根据塞贝克效应，当两种不同金属或半导体形成闭合回路，并且两个接点处的温度不同时，回路中会产生电动势，即热电势。这个电动势与两个接点的温度差成正比，因此可以通过测量热电势来推算温度。这种效应被广泛应用于温度测量和温度控制系统中。
此外，电压和温度的相互影响还表现在电阻随温度的变化上。对于大多数金属导体，温度升高会导致电阻增加，这是因为温度升高会增加晶格振动，从而增加电子散射的频率。然而，对于一些半导体材料，温度升高会导致电阻降低，这是因为载流子浓度增加。这种温度依赖性在实际电路设计和热管理中需要被考虑。
综上所述，电压和温度之间存在着复杂的相互影响关系，这些关系在实际电路设计和应用中需要被充分考虑，以确保电路的稳定性和可靠性。